DME8061Fully Automatic MUSUBI Dry Etcher
チップ抗折強度を向上するMUSUBI対応ドライエッチャ
- Φ300 mmウェーハ対応
- DBG
- SDBG
- 薄化
- ストレスリリーフ
- ゲッタリング
プラズマストレスリリーフによる抗折強度の向上
プラズマによる非接触のストレスリリーフを実施可能なドライエッチャです。
研削面に残った研削ダメージ層を除去し、抗折強度を向上します。
プラズマゲッタリングによる金属汚染の防止
ストレスリリーフ後、プロセスガスを切り替え、連続でゲッタリング※処 理が可能です。研削面にゲッタリング層を形成し、デバイス面の金属汚染 を抑制します。
MUSUBI対応
複数装置を連結するクラスターシステム「MUSUBI」に対応しています。お客様の製造プロセスに合わせた装置構成が可能です。また装置間の搬送を自動化し、ウェーハ破損リスクの低減やスループット向上を実現します。
例：MUSUBI_002
DMG8762（グラインダ/ポリッシャ）+DME8061(ドライエッチャ)+DMM9200(ウェーハマウンタ)接続のプロセス例
SDBG(Stealth Dicing Before Grinding) プロセス後のチップ表面に対し、DME8061でプラズマストレスリリーフ＋プラズマゲッタリング処理を行うことで、チップ抗折強度の向上とゲッタリング効果の両立を実現可能です。
ワークフローシステム
- グラインダポリッシャからワークを受け取る
- ボットでワークをドライテーブルへ
- ワークを乾燥
- アームでチャンバー内チャックテーブルへ
- プラズマストレスリリーフ/ゲッタリング
- アームでワークをポジショニングテーブルへ
- ロボットがワークをマウンタに受け渡す
仕様
| 仕様 | 単位 | DME8061 | |
|---|---|---|---|
| 研削可能ウェーハ径 | mm | Φ300 | |
| プロセスガス | - | SF6, Ar | |
| 装置寸法（W×D×H） | mm | 1,400 × 2,200 × 1,800 | |
| 装置質量 | kg | 約2,600 | |
※ ガス除外設備はお客様にてご準備お願いいたします。
※ ご使用にあたっては、あらかじめ標準仕様書をご確認下さい。
※ 各事項、および仕様は改良のため、断りなく変更することがあります。
製品ラインナップ
| 装置タイプ |
| スピンドル数 |
| C/T数 |
| 寸法（W × D × H） |
| 質量（kg） |
 |  |  |  |  |
| DFP8140 | DFP8141 | DFP8160 | DGP8761 | DGP8762 |
| フルオートマチック | フルオートマチック | フルオートマチック | フルオートマチック | フルオートマチック |
| 1 | 1 | 1 | 3 | 3 |
| 1 | 2 | 1 | 4 | 4 |
| 1,200 × 2,670 × 1,800 | 900 × 2,584 × 2,000 | 1,400 × 3,322 × 1,800 | 1,690 × 3,315 × 1,800 | 1,690 × 3,451 × 1,800 |
| 1,900 | 3,100 | 2,400 | 6,700 | 6,850 |
DME8061Fully Automatic MUSUBI Dry Etcher
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